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Si4916DY
Vishay Siliconix
CHANNEL-1 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
40
35
30
25
20
15
V GS = 10 thru 5 V
4V
40
35
30
25
20
15
10
10
T C = 125 °C
5
3V
5
25 °C
- 55 °C
0
0
0.00
0.30
0.60
0.90
1.20
1.50
0
1
2
3
4
5
0.025
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1050
V GS – Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.022
0.019
V GS = 4.5 V
900
750
600
C iss
0.016
V GS = 10 V
450
300
C oss
0.013
0.010
150
0
C rss
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
6
12
18
24
30
6
5
4
I D – Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 7.5 A
V DS = 10 V
V DS = 15 V
1.6
1.4
1.2
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V and 4.5 V
I D = 7.5 A
3
1.0
2
1
0
0.8
0.6
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g – Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J – Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 74331
S09-0540-Rev. B, 06-Apr-09
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